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本发明涉及包括结终端扩展结构的超结半导体器件及制造方法。实施例涉及超结半导体器件，其包括在半导体主体（106）的第一表面（104）处并至少部分地围绕有源单元区域（108）的结终端区域（102）。结终端区域（102）的内部分（110）布置在结...
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