温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种复合高k绝缘层薄膜晶体管结构及其制备方法，属于平板显示器制造技术领域。复合高k绝缘层薄膜晶体管的结构包括沉积在基板上的栅电极，在栅电极上连续沉积三层复合绝缘层薄膜，然后在绝缘层上再溅射沟道层薄膜和源漏电极，沟道宽度为20～1...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。