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本发明揭示了一种形成电阻式存储器单元(例如CBRAM或ReRAM单元)的方法，其可包含：形成多个底部电极连接件(302)；将底部电极层(310)沉积于所述底部电极连接件上；执行蚀刻以移除所述底部电极层的部分，以使至少一个指向上底部电极区域(...
该专利属于密克罗奇普技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过密克罗奇普技术公司授权不得商用。

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