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本发明涉及光伏技术领域，尤其是指一种基于石墨衬底的倒装三结太阳电池及其制备方法，所述电池包括GaInP顶电池、第一隧穿结、InxGa1‑xAs中电池、第二隧穿结、缓冲层、InyGa1‑yAs底电池。所述制备方法包括石墨衬底进行机械抛光、石墨...
该专利属于云南临沧鑫圆锗业股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过云南临沧鑫圆锗业股份有限公司授权不得商用。

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