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本发明提供一种底栅型多晶硅TFT基板及其制作方法。本发明的底栅型多晶硅TFT基板的制作方法，通过在有源层与栅极绝缘层上沉积层间介电层，并在所述层间介电层上形成源极接触孔与漏极接触孔，之后在所述层间介电层上形成源极与漏极，所述源极和漏极分别经...
该专利属于深圳市华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电技术有限公司授权不得商用。

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