下载半导体器件及其形成方法的技术资料

文档序号:14642104

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体器件及其形成方法,其中,半导体器件的形成方法包括:提供基底,所述基底表面具有层间介质层,且所述层间介质层内具有凹槽,所述凹槽暴露出基底表面;形成覆盖所述凹槽底部和侧壁的栅介质层;形成覆盖所述栅介质层的第一阻挡层;对第一阻挡层进行非...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。