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本发明涉及半导体装置。在不增加杂质的注入工序、光掩模的情况下抑制扭折电流的产生。在半导体基板的主面具有被隔离区域划定的活性区域，在所述活性区域中具有场效应晶体管（Q1a～Q1c、Q2a～Q2e、Q3a～Q3d），在该活性区域中形成的所述场效...
该专利属于辛纳普蒂克斯日本合同会社所有，仅供学习研究参考，未经过辛纳普蒂克斯日本合同会社授权不得商用。

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