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本发明公开了一种高亮度发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。包括反光层、基板、N型半导体层、发光层、P型半导体层、电子阻挡层、透明导电层、钝化保护层、以及P型电极和N型电极，N型半导体层、发光层、P型半导体层依次层叠在基板上，P型...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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