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一种硅片直接键合方法技术
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文档序号:14636628
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本发明公开了一种硅片直接键合方法,属于微电子技术领域。该方法是将经过清洗的抛光片,依次进行等离子激活处理、化学液清洗、低真空直接键合和退火处理,获得所需硅键合片;其中:等离子激活前的清洗是将硅片依次经过DHF、SC-1和SC-2清洗;等离子...
该专利属于沈阳硅基科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过沈阳硅基科技有限公司授权不得商用。
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