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本发明公开了一种AlGaInP基发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：在衬底上依次形成N型缓冲层、N型腐蚀停层、N型欧姆接触层、N型电流扩展层、N型限制层、有源层、P型限制层、P型电流扩展层、反射镜层、粘结层；通...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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