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本实用新型公开了一种氮化镓传感器和多传感器系统，该传感器包括：异质半导体衬底，以及位于其上的III族氮化物基HEMT结构的晶体管；其中，所述晶体管的源极和漏极金属均设置在晶体管顶层的半导体之上，栅极表面具有经功能化处理得到的功能化膜，源极和...
该专利属于北京代尔夫特电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京代尔夫特电子科技有限公司授权不得商用。

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