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存储器单元、制作方法、半导体装置、存储器系统及电子系统制造方法及图纸
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文档序号:14618508
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磁性单元包含中间氧化物区域(例如,隧穿势垒)与第二氧化物区域之间的自由区域。两个氧化物区域均可经配置以诱发与所述自由区域的磁各向异性“MA”,从而增强所述自由区域的MA强度。接近于所述第二氧化物区域的吸气剂材料经调配且经配置以从所述第二氧化...
该专利属于美光科技公司所有,仅供学习研究参考,未经过美光科技公司授权不得商用。
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