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一种碳化硅外延膜，其生长在六方晶体形式的ＳｉＣ晶体基片的切割表面上，该切割面沿〈１１００〉；基片晶向约６度到约１０度的切割角。所得的碳化硅外延膜具有优良的形态和材料性能。...
该专利属于高级技术材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过高级技术材料公司授权不得商用。

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