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本实用新型涉及半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种MOSFET器件，包括N+层、N区、栅电极区和源极金属，N+层上依次设置有N区、栅电极区和源极金属，源极金属与N区之间形成肖特基结，N区设置有第一凹槽和第二凹槽，且第二凹槽深度大于第一凹槽...
该专利属于吉林华微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过吉林华微电子股份有限公司授权不得商用。

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