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本实用新型涉及半导体器件技术领域，更具体地讲，涉及一种IGBT器件，包括源极金属、P+层、N区和栅电极区P+层位于最底层，向上依次设置N区、栅电极区和源极金属，源极金属与N区之间形成肖特基结，N区设置有第一凹槽和第二凹槽，且第二凹槽深度大于...
该专利属于吉林华微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过吉林华微电子股份有限公司授权不得商用。

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