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本发明公开了一种GHz硅基ScAlN薄膜谐振器，包括由上至下依次排列的IDT层、第一功能层、第一公共地电极层、第二公地电极层、晶种层、顶层SiO2层、第二功能层、中间夹层SiO2层、结构层和第一Al层，所述IDT层图形化后形成叉指电极和位于...
该专利属于重庆大学所有，仅供学习研究参考，未经过重庆大学授权不得商用。

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