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本发明涉及一种第三代宽禁带半导体材料制备技术，特别涉及一种GaN薄膜材料及其制备方法。该GaN薄膜材料的制备方法包括如下步骤：低温分立生长分立缓冲层，生长温度400℃～600℃；升温1000℃～1100℃，使所述分立缓冲层横向生长连成GaN...
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