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本发明提供了一种碳化硅器件中的Trench MOSFET的栅氧化加工方法，其包括：步骤1：在N型低掺杂外延碳化硅的表面进行退火；步骤2：在所述的退火产物的表面植入含硅CVD膜的步骤；步骤3：对含硅CVD膜进行热处理，完成氧化过程。本发明的工...
该专利属于上海晶亮电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海晶亮电子科技有限公司授权不得商用。

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