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本发明试制了以氮化物半导体层作为沟道的晶体管。氮化物半导体层均通过溅射法形成。将沉积温度设定为低于600℃，制成了多晶或非晶的InxGayAlzN层。在由通式InxGayAlzN(其中，x+y+z＝1.0)表示时的组成处于0.3≤x≤1.0...该专利属于国立研究开发法人科学技术振兴机构所有，仅供学习研究参考，未经过国立研究开发法人科学技术振兴机构授权不得商用。
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本发明试制了以氮化物半导体层作为沟道的晶体管。氮化物半导体层均通过溅射法形成。将沉积温度设定为低于600℃，制成了多晶或非晶的InxGayAlzN层。在由通式InxGayAlzN(其中，x+y+z＝1.0)表示时的组成处于0.3≤x≤1.0...