下载一种石墨热场表面制备SiC涂层的方法的技术资料

文档序号:14567015

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本发明公开了一种石墨热场表面制备梯度SiC涂层的方法,包括:(1)以石墨发热体加热炉体作为沉积炉,将其抽真空,真空度达到100Pa以下;(2)将石墨发热体加热炉内温度升高至900~1200℃;(3)将甲烷通入石墨发热体加热炉腔内,气体流量根...
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