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本发明公开了一种用于GaN生长的低应力状态复合衬底,包括一熔点大于1000℃的导热导电衬底、位于该衬底上的高熔点导热导电键合介质层、GaN单晶外延层、以及在导热导电衬底背面制备的应力补偿层。其中GaN外延片与导热导电衬底是用高温扩散键合技术...
该专利属于东莞市中镓半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞市中镓半导体科技有限公司授权不得商用。

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