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本发明公开了一种管式PECVD的三层膜工艺，通过管式PECVD在硅基衬底上沉积三层氮化硅膜，所述各层氮化硅薄膜分别是第一层厚度为10~20 nm，折射率为2.4~2.5；第二层厚度为20~30 nm，折射率为2.0~2.1；第三层厚度为30...
该专利属于江西展宇新能源股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西展宇新能源股份有限公司授权不得商用。

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