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一种晶体管的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上具有伪栅；形成覆盖于衬底表面、伪栅侧壁表面的层间介质层，且层间介质层顶部与伪栅顶部表面；在所述层间介质层表面形成掩膜层，且所述掩膜层暴露出伪栅顶部表面；以所述掩膜层为掩膜刻蚀去除伪栅，在层间介...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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