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本发明提供一种GaN基LED垂直芯片结构及其制备方法，该结构包括：键合衬底；刻蚀阻挡层，对应切割道区域结合于所述键合衬底表面；P电极，键合于所述键合衬底；发光外延结构，结合于所述P电极上，包括依次层叠的P-GaN层、量子阱层及N-GaN层，...
该专利属于映瑞光电科技（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过映瑞光电科技（上海）有限公司授权不得商用。

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