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半导体光刻用共聚物、抗蚀剂组合物以及基板的制造方法技术
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文档序号:14547730
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一种光刻用共聚物,其特征在于,其浊度Th(80)为1.0以上、4.6NTU以下,并且浊度Tm(80)为1.0以上、3.8NTU以下,该浊度Th(80)是这样的浊度,将在丙二醇单甲醚乙酸酯溶液中添加正庚烷时使浊度成为10NTU的正庚烷添加量设...
该专利属于三菱丽阳株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三菱丽阳株式会社授权不得商用。
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