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本发明公开了一种Pd基可变电容型氢气传感器及其制备方法。在掺杂单晶Si基片上热氧化生长SiO2层，在SiO2层中开有贯穿SiO2层的沉积孔，在沉积孔内沉积可动电极Pd基材料；在SiO2层的上表面开有与沉积孔连通的通气槽，静止电极导电平板键合...
该专利属于苏州科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过苏州科技大学授权不得商用。

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