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一种钝化接触的IBC电池及其制备方法和组件、系统技术方案
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下载一种钝化接触的IBC电池及其制备方法和组件、系统的技术资料
文档序号:14509521
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本发明涉及一种钝化接触的IBC电池及其制备方法和组件、系统。本发明的一种钝化接触的IBC电池的制备方法,N型晶体硅基体背表面的掺杂处理方式为:在N型晶体硅基体的背表面生长背表面氧化层,然后在背表面氧化层上生长本征多晶硅层或者本征非晶硅层,然...
该专利属于泰州中来光电科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过泰州中来光电科技有限公司授权不得商用。
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