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本发明公开了一种发出近红外光的氮化镓基LED芯片结构，包括衬底，衬底上设置有N-GaN层、发光层和P-GaN层，形成LED晶圆，LED晶圆外覆盖有光阻层，光阻层由透明绝缘的光刻胶通过光刻工艺形成，光刻胶内均匀混合有量子点，所述量子点包括Ga...
该专利属于广东德力光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东德力光电有限公司授权不得商用。

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