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本申请涉及隧穿场效应晶体管以及制造此类晶体管的方法。一种形成TFET装置的示例方法，包括：形成沿该装置的漏区、栅区以及源区的全长延伸的第一半导体材料；掩蔽该漏区但暴露该栅区的至少部分并暴露该源区，在该栅区上方以及该源区上方形成第二半导体材料...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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