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本发明公开了一种基于水蒸气的二维过渡金属硫属化合物转移方法，主要解决先现有技术工艺复杂且易于化学污染的问题。其实现方案是：1)使用化学气相沉积CVD方法在生长基片上生长二维材料薄膜；2)用等离子体激活超薄碳膜Cu网作为目标载体；3)利用水蒸...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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