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本发明公开一种用于超级电容器的NiSe三维多孔纳米片材料及其制备方法。NiSe纳米片堆积并纵横交错形成互相连通的三维立体孔状结构，纳米片厚度不超过10nm，100~300nm大孔与10~100nm小孔均匀交错分布。NiSe三维多孔纳米片材料...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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