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本发明涉及一种具有沟槽栅极结构的半导体器件，包括漂移区、漂移区上的金属电极、从金属电极下方贯穿至漂移区的沟槽、沟槽内表面的栅氧化层、以及沟槽内的多晶硅栅极，还包括设于所述沟槽内且在所述多晶硅栅极上方的介质层，以及所述沟槽顶部两侧的掺杂区。本...
该专利属于无锡华润上华半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华半导体有限公司授权不得商用。

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