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一种带复合缓冲层的LED外延结构，涉及发光二极管外延技术领域。本发明结构从下到上依次包括蓝宝石衬底层、缓冲层、u型GaN层、n型GaN层、量子阱发光层、电子阻挡层和p型GaN层。其结构特点是，所述缓冲层为复合缓冲层。缓冲层包括从下到上依次生...
该专利属于南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司授权不得商用。

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