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本发明公开了一种6英寸直拉重掺硅单晶无位错生长工艺及其热场系统。即熔晶中稳定时间为50‑60分钟，平均温度变化控制在0.3‑0.8℃；引晶中控制细颈直径为3.5‑4mm，细颈长度为150‑200mm，平均引晶速率为250‑350mm/h；放...该专利属于中国电子科技集团公司第四十六研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十六研究所授权不得商用。
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本发明公开了一种6英寸直拉重掺硅单晶无位错生长工艺及其热场系统。即熔晶中稳定时间为50‑60分钟，平均温度变化控制在0.3‑0.8℃；引晶中控制细颈直径为3.5‑4mm，细颈长度为150‑200mm，平均引晶速率为250‑350mm/h；放...