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本发明涉及整合于垂直栅鳍式场效二极管的静电放电及被动结构。具体涉及场效二极管结构利用具有L形截面的接面结构(自平面部分延展的鳍片)。阳极置于鳍片的顶面，而阴极置于平面部分的端面。鳍片与平面部分的垂直性造成阳极与阴极彼此垂直。第一栅极绝缘体接...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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