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本发明提出了一种无接触孔的场效应管的制造方法和一种无接触孔的场效应管，方法包括：在衬底上生长外延层，在外延层上生长第一氧化层；在第一氧化层和外延层上刻蚀多个深沟槽；在多个深沟槽中的每个深沟槽中生长第二氧化层；在第一氧化层和第二氧化层上生长氮...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。