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一种光刻图形的形成方法，包括：提供基底，所述基底上形成有负光刻胶层；对部分所述负光刻胶层进行曝光，形成曝光区，所述负光刻胶层未曝光的区域为非曝光区；采用水基显影液进行第一显影，去除部分厚度的曝光区，暴露出非曝光区的顶部和部分侧壁表面；第一显...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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