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一种鳍式场效应晶体管的形成方法,包括:提供具有P型区域和N型区域的半导体衬底,P型区域的半导体衬底表面有第一鳍部和横跨第一鳍部的第一栅极结构,N型区域的半导体衬底表面有第二鳍部和横跨第二鳍部的第二栅极结构;对第一鳍部进行第一轻掺杂注入,形成...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种鳍式场效应晶体管的形成方法,包括:提供具有P型区域和N型区域的半导体衬底,P型区域的半导体衬底表面有第一鳍部和横跨第一鳍部的第一栅极结构,N型区域的半导体衬底表面有第二鳍部和横跨第二鳍部的第二栅极结构;对第一鳍部进行第一轻掺杂注入,形成...