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包括场效应晶体管的功率半导体电路。本发明涉及功率半导体电路，其包括具有漏极(D)、源极(S)和栅极(G)作为端子的场效应晶体管(T1,T2)，并且包括具有驱动设备(2)和欠压检测电路(5)的控制设备(3)，其中驱动设备(2)被设计用于驱动场...
该专利属于赛米控电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过赛米控电子股份有限公司授权不得商用。

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