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一种PMOS晶体管及其形成方法，其中方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有栅极结构，所述栅极结构两侧的侧壁表面具有侧墙，在栅极结构两侧的半导体衬底中形成第一沟槽，对第一沟槽进行处理，形成向栅极结构底部区域突出的第二沟槽，在第二沟槽...
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