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一种半导体器件，包括竖直电气元件布置的多个补偿区、竖直电气元件布置的多个漂移区和不可耗尽的掺杂区。多个补偿区中的补偿区被布置在该半导体器件的半导体衬底中。此外，竖直电气元件布置的多个漂移区被布置在该半导体器件的单元区之内的半导体衬底中。多个...
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