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一种高复合效率的LED外延结构，涉及发光二极管技术领域。本发明从下至上依次包括图形化衬底、AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、有源区、电子阻挡层和P型GaN层。其结构特点是，所述有源区从下至上包括阱层和复合垒层，复合垒层和阱层交替生长...
该专利属于南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司授权不得商用。

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