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本发明实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法。该薄膜晶体管包括：上栅极(1)、下栅极(4)、上绝缘层(6)、下绝缘层(7)、半导体层(5)、源极(2)和漏极(3)；其中，所述下栅极(4)上方设有所述下绝缘层(7)；所述下绝缘层(7)上方设有...该专利属于昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司授权不得商用。