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本发明涉及一种激光晶化方法，用于晶化半导体薄膜，包括步骤：预晶化薄膜，第一激光束以预设的间歇顺序扫描薄膜；再晶化薄膜，第二激光束连续扫描第一激光束扫描过的薄膜，其中第二激光束的扫描方向与第一激光束的扫描方向相同。本发明还涉及一种激光晶化装置...
该专利属于昆山国显光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昆山国显光电有限公司授权不得商用。

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