温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体结构的形成方法，所述方法包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍片结构；在所述半导体衬底上形成横跨所述鳍片结构的栅极结构；在所述栅极结构、鳍片结构及半导体衬底表面形成保护层；对所述鳍片结构进行离子注入工艺后采用退火工艺，使所...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。