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本发明涉及宽禁带半导体的制备领域，特别涉及一种(100)择优取向的AlN薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)衬底预处理；(2)靶材预处理；(3)采用离子束辅助沉积技术，Ar+离子束溅射沉积Al膜，N+离子束轰击Al膜，在衬底上形成AlN缓冲...
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