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本发明提供一种薄膜晶体管，它包括分别作为源极和漏极的源漏电极层，作为栅极的导电薄膜层，作为有源层的金属氧化物半导体薄膜层，以及设置在所述导电薄膜层和所述金属氧化物半导体薄膜层之间的同时充当绝缘层和衬底层的绝缘衬底层，在所述薄膜晶体管结构中，...
该专利属于河南大学所有，仅供学习研究参考，未经过河南大学授权不得商用。

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