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一种可提高亮度带3D层的LED外延结构，涉及发光二极管的外延技术领域。本发明从下至上依次包括蓝宝石衬底、AlN缓冲层、u‑GaN层、n‑AlGaN层、n‑GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、p‑GaN层和金属接触层。其结构特点是，所述AlN缓...
该专利属于南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司授权不得商用。

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