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一种具有网状表层的原位Al掺杂SiC纳米线，其特征在于Al掺杂SiC纳米线的表面为一层由SiO2纳米球联接Al掺杂SiC纳米线构成的网状纳米结构，其制备方法主要包括：以聚碳硅烷、硅粉和硝酸铝为反应原料，硝酸镍为催化剂；将混合研磨后的反应原料...
该专利属于青岛科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过青岛科技大学授权不得商用。

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