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本发明涉及一种在有源装置区中具有埋入介电区的双极结晶体管。一种双极结晶体管的装置结构及制造方法。形成沟槽隔离区沿侧壁环绕有源装置区。形成介电区从该有源装置区的侧壁横向延伸进入该有源装置区。该介电区位于该有源装置区的顶面之下，使得该有源装置区...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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